KB证券预计存储器半导体价格将持续上涨至2028年

KB Securities 预测，内存半导体市场将从明年开始进入强劲上行周期，人工智能推理需求将推动价格上涨与出货量增长同步进行。研究主管 Kim Dong-won 预计，第四季度 DRAM 价格将环比上涨 10%–15%，NAND 闪存价格将环比上涨 15%–20%，涨幅将超出市场预期。该公司将这一加速归因于服务器 DRAM 和企业级 SSD 的强劲需求，其中人工智能推理应用推动 SSD 位需求同比增长超过 80%。

第四季度内存价格涨幅超出市场预期

Kim Dong-won 表示，市场研究公司 TrendForce 预计，第四季度通用 DRAM 价格将环比上涨 10%–15%，NAND 闪存价格将环比上涨 15%–20%，维持高于市场预期的两位数增长。这位分析师强调，需求将继续保持强劲，尤其是服务器 DRAM 和企业级固态硬盘（SSD）。人工智能推理需求的扩张正推动 SSD 位需求同比增长超过 80%。

Micron 提高明年 HBM 合约价格

KB Securities 认为，明年将是高带宽内存（HBM）价格进入全面上行阶段的一年。Kim 指出，Micron 已披露将大幅提高明年的 HBM 供应价格。他解释称，HBM 合约通常采用一年期固定价格协议，尚未完全反映通用 DRAM 的大幅涨价，但明年的合约将纳入更高的内存价格和供应紧张状况。这位分析师表示，去年 HBM 引领增长，今年通用内存推动增长，而明年 HBM 和通用内存将同时迎来价格上涨与出货量增长。

供应限制预计将持续至 2028 年

KB Securities 预计，明年和 2028 年的内存供需状况将比今年更加紧张。Kim 提到，近期的前沿人工智能模型，包括 OpenAI 的 GPT-6 Astra 和 Google Gemini 4 Argon，正通过智能体人工智能和通用人工智能（AGI）持续扩展人工智能能力。与此同时，中国的高效人工智能模型正通过降低推理成本来降低人工智能服务的进入门槛，迅速扩大新用户数量和使用频率。他预测，高性能前沿模型与高效模型的大规模采用将同步推进，使代币单位成本下降与使用量上升相结合，最终导致人工智能总计算量和代币消耗量出现结构性激增。

Micron 首席执行官 Sanjay Mehrotra 在财报电话会议上表示，他预计明年和 2028 年的内存供需状况将比今年更加紧张。Kim 解释称，这是因为新建洁净室和晶圆厂扩建需要超过三年时间，而专注于 HBM 的同步产能扩张限制了供应增长，使供应相对于激增的内存需求处于极度受限的水平。

KB Securities 将三星电子和 SK 海力士列为首选股

Kim 总结称，明年的内存市场将进入强劲上行周期的加速阶段，其特征是价格上涨与出货量增长同步进行。KB Securities 将三星电子和 SK 海力士列为首选股。

常见问题

KB Securities 对第四季度内存价格作出了什么预测？
KB Securities 根据 TrendForce 的数据预测，第四季度 DRAM 价格将环比上涨 10%–15%，NAND 闪存价格将环比上涨 15%–20%，涨幅将超出市场预期。

为什么 KB Securities 预计内存供应紧张状况将持续至 2028 年？
KB Securities 援引 Micron 首席执行官 Sanjay Mehrotra 的说法称，新建洁净室和晶圆厂扩建需要超过三年时间，而以 HBM 为重点的产能扩张限制了供应增长，尽管人工智能驱动的内存需求正在激增。