铠侠计划投资62.7亿美元，在日本建设NAND闪存工厂。
日本半导体公司铠侠计划在其日本北部工厂建设一座新生产设施，投资额超过62.7亿美元（约合8.69万亿韩元）。据《日经亚洲》27日报道，铠侠管理层计划于当天在首相官邸宣布这一建设计划。该设施将量产用于长期数据存储的NAND闪存。首席执行官大田弘夫在6月的投资者说明会上表示，公司已经开始就此展开讨论，并计划于2029年以后投入运营。此次投资正值韩国竞争对手三星电子和SK海力士宣布在韩国国内进行大规模生产投资之际。
铠侠投资62.7亿美元扩大NAND闪存产能
铠侠将投资62.7亿美元（约合8.69万亿韩元），用于建设一座专门生产NAND闪存的新半导体设施。首席执行官大田弘夫在6月的投资者说明会上透露，公司已经开始讨论新设施的建设事宜。该设施将专注于量产用于长期数据存储的NAND闪存芯片。
铠侠目前在三重县和岩手县的工厂生产存储芯片。据《日经亚洲》报道，该公司已经开始联系部分供应商，以采购新设施所需的设备。
选定岩手工厂，设施将于2029年以后启用
这座新生产设施将建在铠侠现有的岩手县工厂所在地。大田弘夫在6月的投资者说明会上表示，公司计划于2029年以后开始运营该设施。届时，岩手基地将与铠侠目前位于三重县和岩手县的生产布局协同运作。
政府补贴及与闪迪的联合投资
《日经亚洲》报道称，铠侠预计将利用日本经济产业省为该项目提供的补贴。该公司计划与总部位于美国的闪迪共同进行投资。此次进展正值NAND闪存市场的主要竞争对手三星电子和SK海力士宣布在韩国国内大规模投资生产能力之际。
常见问题
铠侠计划在其日本新工厂投资建设什么？
铠侠计划投资超过62.7亿美元（约合8.69万亿韩元），在其岩手县工厂建设一座新生产设施，用于量产长期数据存储所需的NAND闪存。
铠侠的新半导体设施何时开始运营？
根据首席执行官大田弘夫在6月投资者说明会上的表述，铠侠计划于2029年以后开始运营新设施，建设计划将于27日在首相官邸宣布。
铠侠如何为其半导体扩张提供资金？
据《日经亚洲》报道，铠侠将与美国合作伙伴闪迪共同进行投资，并预计利用日本经济产业省提供的补贴。
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