SK海力士确认投资，推动韩国半导体设备股上涨逾10%

SK Hynix 于 5 月 7 日宣布，已确认在龙仁和清州建设新的 DRAM 和 NAND 闪存生产设施的投资计划，推动国内半导体设备公司股价于 5 月 10 日录得两位数涨幅。该公司披露，董事会批准的投资总额约为 54 万亿韩元，其中 35.2 万亿韩元用于龙仁 Y2 晶圆厂，19.1 万亿韩元用于清州 M17 NAND 生产基地。此次投资确认紧随公司 6 月公布的中期战略之后，该战略将龙仁半导体集群的完工时间提前 12 年至 2033 年。此前宣布的 800 万亿韩元西南部半导体集群计划缺乏董事会批准和具体投资规模，而市场反应反映出投资者转而关注已确认的资本部署。

半导体设备股于 5 月 10 日录得两位数涨幅

根据韩国交易所数据，截至 5 月 10 日下午 1:26，Jusung Engineering 报 144,900 韩元，较前一交易日上涨 13.38%。Lino Industrial 上涨 6.85% 至 70,200 韩元，Wonik IPS 大涨 10.87% 至 97,900 韩元。其他半导体设备公司也录得显著涨幅：IOTechnics 上涨 10.48%，Simtech 上涨 5.36%，PSK 上涨 11.15%。这些价格变动发生在 SK Hynix 于 5 月 7 日披露董事会批准龙仁第二阶段晶圆厂（Y2）和清州 M17 晶圆厂建设投资决定之后。

SK Hynix 确认投资 54 万亿韩元建设龙仁和清州晶圆厂

SK Hynix 于 5 月 7 日披露，其董事会批准投资 35.2 万亿韩元建设龙仁 Y2 晶圆厂，以及 19.1 万亿韩元建设清州 M17 NAND 生产基地，投资总额约为 54 万亿韩元。该决定是公司于 6 月公布的中期投资战略的一部分。公司表示，将在 2033 年前完成四期晶圆厂建设，使龙仁半导体集群原定于 2045 年完工的时间表提前 12 年。董事会决议通过正式披露程序确定了具体的投资规模和时间表。

KOSDAQ 市场触发买入侧熔断机制

5 月 10 日上午 9:50，随着大盘股飙升，KOSDAQ 市场启动买入侧熔断机制。当 KOSDAQ 150 期货指数较前一交易日收盘价上涨 6% 或以上，且 KOSDAQ 150 现货指数在一分钟内上涨 3% 或以上时，KOSDAQ 买入侧熔断机制将启动。市值龙头 Alteogen 在全球资产管理公司 BlackRock 增持股份及业绩强劲的推动下，涨幅继续扩大至 14.26%。大市值区间内的半导体设备公司为指数上涨作出了贡献。

常见问题

SK Hynix 于 5 月 7 日宣布了什么投资？
SK Hynix 于 5 月 7 日披露，董事会批准的投资总额约为 54 万亿韩元，其中 35.2 万亿韩元用于龙仁 Y2 晶圆厂，19.1 万亿韩元用于清州 M17 NAND 生产基地。

半导体设备股于 5 月 10 日上涨了多少？
根据韩国交易所数据，截至 5 月 10 日下午 1:26，Jusung Engineering 上涨 13.38% 至 144,900 韩元，Wonik IPS 上涨 10.87% 至 97,900 韩元，Lino Industrial 上涨 6.85% 至 70,200 韩元。

SK Hynix 何时完成龙仁半导体集群建设？
SK Hynix 表示，将在 2033 年前完成四期晶圆厂建设，使时间表较原定的 2045 年完工日期提前 12 年。