AI 需求推动 DRAM 单位面积定价超过 TSMC N2 晶圆成本

据 Kurnal Insights 的分析，按单位面积计算，DRAM 的价格已经超过采用 TSMC N2 和 N3 制程技术加工的晶圆成本。这一转变由 AI 行业的需求推动，使内存价格升至创纪录高位。基于假设的晶圆价格和 DRAM 现货价格进行比较后发现，1b DRAM 的价值为 $0.654/mm²，而 TSMC N2 晶圆的估算值为 $0.424/mm²。不过，该分析存在一些重要的方法论注意事项。

Kurnal Insights 计算 DRAM 和 TSMC 晶圆的单位面积价格

Kurnal Insights 估算，采用 TSMC N3 技术加工的 300-mm 晶圆价格为 $20,000。将晶圆价格除以面积后，得出的价格约为 $0.283/mm²。对于 TSMC N2，分析师假设晶圆价格为 $30,000，对应的单位面积价格约为 $0.424/mm²。这些计算基于非官方信息，且未考虑不可用的晶圆边缘部分、切割、测试结构、缺陷或良率。

DRAM 的计算假设每 Gb 的价格为 $1.50，再乘以不同代际的位密度。1y DRAM 的密度为 0.219 Gb/mm²，计算得出的单位面积价值为 $0.329/mm²。密度为 0.273 Gb/mm² 的 1z DRAM，其单位面积价值达到 $0.410/mm²。密度为 0.436 Gb/mm² 的 1b DRAM，其单位面积价值为 $0.654/mm²，显著高于按 N2 晶圆价格计算出的名义值 $0.424/mm²。

9 月 21 日 DDR5 现货价格验证 $1.50/Gb 的假设

Kurnal Insights 假设的 $1.50/Gb 与当前现货价格基本一致。据 DRAMeXchange 称，9 月 21 日，16Gb DDR5 eTT 芯片的时段均价为 $24.80，相当于 $1.55/Gb。按这一价格计算，密度为 0.436 Gb/mm² 的 1b DRAM 单位面积价值约为 $0.676/mm²，仅比 Kurnal 的估算值 $0.654/mm² 高 3%。

比较方法在合约定价方面存在关键注意事项

N2 和 N3 的数字代表 TSMC 加工一片晶圆所收取的假设价格，而 DRAM 数字代表一平方毫米硅中所含内存的潜在销售价值。这些计算未考虑封装成本，而且逻辑芯片需要采用更昂贵的工艺。TSMC 以代工方式制造芯片，晶圆加工的实际价格取决于出货量、客户以及其他商业条款。

TrendForce 指出，DDR5 现货采购仍然有限，交易也并不定期发生，这意味着现货价格不一定反映 Micron、Samsung 和 SK 海力士销售大部分 DRAM 时的价格。DRAM 合约价格可能更适合进行具有经济意义的比较，但这些价格并未公开披露。

常见问题

DRAM 与 TSMC 晶圆之间的单位面积价格差是多少？
根据 Kurnal Insights 的分析，按 $1.50/Gb 的价格和 0.436 Gb/mm² 的密度计算，1b DRAM 的单位面积价值为 $0.654/mm²；相比之下，在假设晶圆价格为 $30,000 的情况下，TSMC N2 晶圆的估算值为 $0.424/mm²。

9 月 21 日的 DDR5 现货价格是多少？
据 DRAMeXchange 称，9 月 21 日，16Gb DDR5 eTT 芯片的时段均价为 $24.80，相当于 $1.55/Gb。