三星电子与 ASML 合作，计划到 2028 年实现 High NA EUV DRAM 技术

三星电子于8日宣布与总部位于荷兰的半导体光刻设备制造商 ASML 建立合作伙伴关系，计划到2028年引入下一代“High NA EUV”光刻设备，用于先进 DRAM 制造，开创行业先例。此次合作旨在通过更精细的图形化延续三星的 DRAM 微缩路线图，同时实现工艺简化和生产效率提升。该合作体现了 AI 时代驱动下半导体行业技术创新的加速，也表明 High NA EUV 技术现已准备好应用于先进存储器制造。

三星采用 High NA EUV 技术制造 DRAM

三星电子将与 ASML 合作至2028年，引入 High NA EUV 设备用于先进 DRAM 制造。High NA EUV 是下一代光刻工具，其数值孔径（NA）大于现有 EUV 设备，可显著提升分辨率。NA 是衡量镜头集光能力的数值。

三星电子表示，两家公司此次合作意味着 High NA EUV 技术已准备好应用于先进存储器制造。该公司预计，通过更精细的图形化延续 DRAM 微缩路线图，同时实现工艺简化和生产效率提升。

三星加入 ASML 大掩模联盟，共同开发 12 英寸光掩模

三星电子已加入 ASML 的“大掩模联盟”，共同开发下一代 12 英寸光掩模。大掩模联盟是一个合作组织，旨在推动半导体光刻设备从目前使用的 6 英寸掩模转向 12 英寸掩模。

光掩模是刻有精细电路图形的精密模板，是一种必不可少的工具，可利用光刻设备发出的光将设计好的图形转移到晶圆上。尽管 6 英寸掩模一直用于半导体光刻工艺，但转向 12 英寸掩模可以消除拼接操作（分割并连接图形）的限制，从而提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。

使用 12 英寸掩模可以充分发挥 High NA EUV 设备的优势。

三星与 ASML 高管阐述合作愿景

三星电子副董事长兼联席首席执行官全永铉表示，AI 时代的到来正在改变半导体行业范式，并进一步提升整个价值链中技术创新的重要性。他补充说，三星电子将基于创新技术和强有力的合作伙伴关系，继续引领包括代工和存储器在内的先进半导体制造，并通过进一步加强与 ASML 的合作，为“Next AI”建立技术基础。

ASML 首席执行官 Christophe Fouquet 表示，三星电子长期以来一直是 ASML 最重要的创新合作伙伴之一，双方共同开发了构成现代半导体制造基础的技术。他表示，期待在 AI 驱动的新纪元中与三星电子共同引领下一代半导体制造创新。

常见问题

三星电子于8日宣布了与 ASML 合作的哪些内容？

三星电子于8日宣布与 ASML 建立合作伙伴关系，计划到2028年引入 High NA EUV 光刻设备，用于先进 DRAM 制造，开创 DRAM 生产领域的行业先例。

三星加入的大掩模联盟是什么？

大掩模联盟是 ASML 成立的合作组织，旨在推动半导体光刻从目前使用的 6 英寸光掩模转向 12 英寸光掩模。三星电子已加入该联盟，共同开发下一代 12 英寸光掩模。