SK海力士为计划于2029年投产、投资额超过40亿美元的印第安纳州HBM工厂奠基

SK 海力士于当地时间 5 月 27 日在印第安纳州西拉法叶的普渡大学举行了奠基仪式。该设施预计投资超过 40 亿美元，将成为美国首个高带宽内存（HBM）生产基地。下一代 HBM 计划于 2029 年下半年开始量产。该项目旨在通过连接韩国和美国的生产体系，强化美国的 AI 半导体供应链。SK 海力士将把在韩国生产的先进晶圆运往印第安纳州工厂，进行先进封装和测试，随后向美国客户供应成品。

SK 海力士计划于 2028 年 10 月完成洁净室建设，并于 2029 年开始生产

印第安纳州工厂计划于 2028 年 10 月完成洁净室建设，并于 2029 年下半年开始下一代 HBM 的量产。预计该工厂生产的产品将是第七代 HBM4E。全面投产后，该设施将雇用超过 1,000 名员工，并成为美国首个 HBM 生产基地。

SK 海力士将把韩国晶圆运往印第安纳州进行封装和测试

SK 海力士将把在韩国生产的先进晶圆运往印第安纳州工厂，进行先进封装和测试。完成这些工序后，公司将向美国客户供应成品。该设施还将设立先进封装研发测试平台，供客户、大学和合作伙伴共同开发下一代封装技术。原型制造和性能验证将在现场进行，以提升对客户需求的响应能力。

SK 海力士与普渡大学签署联合研发谅解备忘录

SK 海力士于当地时间 5 月 27 日与普渡大学签署了谅解备忘录（MOU），双方将围绕包括 HBM 在内的下一代系统集成和先进封装技术开展联合研究。公司计划扩大与美国中西部地区大学和研究机构的合作，以培养和招聘半导体领域专业人才。

SK 海力士预计设施建设和运营将创造 7,000 个就业岗位

目前，约 100 家韩国材料、零部件和设备合作伙伴正在商讨进驻西拉法叶。SK 海力士预计，该设施的建设和运营将在美国创造约 7,000 个直接和间接就业岗位。SK 集团还将作为雇主，参与由韩国商工会议所和韩美联盟基金会运营的驻韩美军退伍军人就业平台。

SK 海力士首席执行官和印第安纳州州长出席奠基仪式

印第安纳州州长迈克·布劳恩、美国参议员托德·杨、普渡大学校长米奇·丹尼尔斯以及韩国驻美大使康京和出席了奠基仪式。SK 集团方面，美洲区副董事长柳正俊、副董事长李亨熙以及 SK 海力士首席执行官郭鲁正也出席了仪式。

郭鲁正表示，印第安纳州工厂将成为供应首款美国制造 HBM 的基地，公司将成为打造美国 AI 未来最值得信赖的合作伙伴。布劳恩州长表示，该项目将在印第安纳州创造数千个高质量就业岗位，并为振兴地区经济带来机遇。

常见问题

SK 海力士于当地时间 5 月 27 日在印第安纳州宣布了什么？

SK 海力士于当地时间 5 月 27 日在印第安纳州西拉法叶的普渡大学举行了先进封装生产设施奠基仪式。该设施预计投资超过 40 亿美元，将成为美国首个高带宽内存（HBM）生产基地，并计划于 2029 年下半年开始量产。

SK 海力士将如何在印第安纳州工厂生产 HBM？

SK 海力士将把在韩国生产的先进晶圆运往印第安纳州工厂，进行先进封装和测试。完成这些工序后，公司将向美国客户供应成品。该设施计划于 2028 年 10 月完成洁净室建设，并于 2029 年下半年开始下一代 HBM 的量产。

SK 海力士为印第安纳州工厂建立了哪些合作关系？

SK 海力士于当地时间 5 月 27 日与普渡大学签署了谅解备忘录（MOU），双方将围绕包括 HBM 在内的下一代系统集成和先进封装技术开展联合研究。该设施还将设立先进封装研发测试平台，供客户、大学和合作伙伴共同开展研发。