HBF 成为 AI 推理内存的 HBM 替代方案

Growth Research 发布了一份半导体行业报告，分析了高带宽闪存（HBF）作为新兴存储层级以及高带宽内存（HBM）替代方案的潜力。这一趋势由人工智能推理对内存容量需求的激增所推动。报告称，HBF 可能在明年年底或 2028 年实现有限商业化，SanDisk 和 SK Hynix 正在共同开发这项技术。这一发展反映出半导体内存架构正在发生结构性转变，因为 AI 工作负载需要容量和带宽均超越现有 HBM 配置的解决方案。

SanDisk 计划于今年下半年交付 HBF 样品

根据 SanDisk 的路线图，该公司计划在今年下半年提供首批 HBF 样品。明年初，SanDisk 计划展示搭载 HBF 的 AI 推理设备样品。Growth Research 分析师 Han Yong-hee 表示，现有 HBM 价值链中的企业可能会在新形成的 HBF 市场中率先受益。HBF 使用 NAND 而非 DRAM，但通过垂直堆叠多个内存裸片并采用高密度连接，保持了与 HBM 相似的制造结构。预计 HBM 的核心工艺技术，包括堆叠、键合、TSV（硅通孔）和封装，大部分都适用于 HBF。

Hanmi Semiconductor 已与 SK Hynix 完成 HBM 良率验证

Han 指出，Hanmi Semiconductor 在 HBM 热压（TC）键合领域占据主导地位，因此 HBF 实现商业化后，该公司可能成为最直接的受益者。该分析师强调，Hanmi Semiconductor 已与率先参与 HBF 开发的 SK Hynix 完成 HBM 良率验证。Han 表示，这将使 Hanmi Semiconductor 能够在非存储器先进封装投资扩大期间获得额外收益。

LTC 向 SK Hynix HBM 产线供应 TSV 清洗设备

Han 表示，为 HBM 提供 TSV 清洗设备的 LTC 预计将受益于 HBF 的发展。HBF 需要采用类似于 HBM 的 TSV 工艺，因为必须通过硅钻孔形成通孔来建立连接。Han 评估认为，鉴于 LTC 是 SK Hynix 的主要清洗设备供应商，且双方现有的 TSV 清洗设备供应关系稳固，该公司很可能参与 HBF 产线建设。

常见问题

什么是 HBF，它与 HBM 有何不同？
HBF（高带宽闪存）是一项新兴内存技术，使用 NAND 而非 DRAM，但通过垂直堆叠多个内存裸片并采用高密度连接，保持了与 HBM 相似的制造结构。Growth Research 将 HBF 确定为面向 AI 推理应用的新型存储层级和 HBM 替代方案。

根据 SanDisk 的路线图，HBF 何时实现商业化？
SanDisk 计划在今年下半年提供首批 HBF 样品，并于明年初展示搭载 HBF 的 AI 推理设备样品。Growth Research 评估认为，HBF 可能在明年年底或 2028 年实现有限商业化。

哪些公司有望受益于 HBF 的发展？
Growth Research 分析师 Han Yong-hee 认为，Hanmi Semiconductor 凭借其在 HBM 热压（TC）键合领域的主导地位以及与 SK Hynix 完成的良率验证，可能成为最直接的受益者。鉴于 LTC 与 SK Hynix 的 HBM 产线已有合作关系，该公司预计将通过供应 TSV 清洗设备而受益。